三星宣布推出全球首个512GB DDR5 HKMG模块

虽然许多人都知道三星是全球领先的电话制造商，但韩国人也在大力投资其他硬件，而本周，他们宣布了另一项重要成就。

三星已经建立了世界上第一个使用High-K Metal Gate工艺技术的512GB DDR5模块。

此技术也称为HKMG，以前曾在逻辑半导体中使用，它可以在提高性能的同时将功耗降低多达13%。HKMG技术自2018年以来一直用于三星的GDDR6内存，可创建专门为超级计算机中的高带宽工作负载而构建的内存模块。

三星表示，它可以很好地应对AI和ML所执行的任务，而且还可以应对数据分析应用程序。

三星的DDR5将采用传统上用于逻辑半导体的高度先进的HKMG技术。随着DRAM结构的不断缩小，绝缘层变薄，导致更高的泄漏电流。通过用HKMG材料代替绝缘子，三星的DDR5将能够减少泄漏并达到新的性能高度。这款新内存还将节省大约13%的电能，使其特别适用于能源效率日益重要的数据中心。”该公司解释说。

DDR4速度的两倍

该模块使用硅通孔技术(也称为TSV)来堆叠总共八个不同的16GB DRAM芯片。

“通过将这种类型的工艺创新引入DRAM制造，我们能够为客户提供高性能，高能效的内存解决方案，以为医学研究，金融市场，自动驾驶，智慧城市及其他领域所需的计算机提供动力，”三星电子DRAM内存计划/支持小组副总裁Young-Soo Sohn解释说。

新模块将DDR4的性能提高了两倍以上，每秒可传输高达7200兆比特的数据。

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